真空烧结炉主要用于半导体元器件及电力整流器件的烧结工艺，可进行真空烧结，气体保护烧结及常规烧结，是半导体用于钨合金、磁性材料、高比重合金、钼合金和硬质合金等制品的烧结及陶瓷氧化锆发黑等专用设备系列中一种新颖的工艺装备，它设计构思新颖，操作方便，结构紧凑，在一台设备上可完成多个工艺流程。亦可用于其他领域内的真空热处理，真空钎焊等工艺技术特征.
为了提高真空烧结过程的加热速度和炉温的均匀性，在烧结初期可通入适量气体(惰性气体或氢气)。同样可采甩循环气体冷却方法来提高真空烧结的冷却速度。为了防止烧结中成形剂污染真空装置系统，压块应在真空烧结前进行预烧以排除成形剂。